電壓擊穿測(cè)試儀適用于連續(xù)均勻的電壓上升或逐步電壓上升。對(duì)樣品施加交流/或直流電壓直至擊穿，測(cè)量擊穿電壓值并計(jì)算樣品的擊穿強(qiáng)度；通過(guò)快速升壓將電壓升至規(guī)定值，使樣品在一定時(shí)間內(nèi)不被擊穿，將規(guī)定值設(shè)為此時(shí)樣品的耐壓值。

　　電壓擊穿測(cè)試儀的信號(hào)接地方法也是需要我們掌握的。
　　1、浮地將電路的“零”電位或設(shè)備的“零”電位與可能引起環(huán)流的公共接地系統(tǒng)或公共導(dǎo)體絕緣，即不接地，使“零”電位是相對(duì)于地球零電位的懸浮“零”電位。常用的方法有變壓器屏障和光電耦合屏障。浮地的優(yōu)點(diǎn)是抗干擾能力強(qiáng)，缺點(diǎn)是靜電積累。當(dāng)電荷積累到一定程度時(shí)，設(shè)備地與公共地之間的電位差可能會(huì)引起嚴(yán)重的靜電放電，成為極具破壞性的干擾源。處理方法是在浮地和公共地之間跨接放電電阻和電阻大小，以免影響設(shè)備漏電流的要求。
　　2、在單點(diǎn)接地電路和設(shè)備中，所有需要接地的點(diǎn)都連接到只有一個(gè)物理點(diǎn)被定義為接地的點(diǎn)，參考點(diǎn)的點(diǎn)稱(chēng)為單點(diǎn)接地。如果系統(tǒng)選擇單點(diǎn)接地，則每臺(tái)設(shè)備都應(yīng)有自己的單點(diǎn)接地點(diǎn)，然后各設(shè)備的接地應(yīng)與系統(tǒng)中的參考接地點(diǎn)相連。缺陷是系統(tǒng)在工作頻率很高時(shí)表現(xiàn)出一定的電抗效應(yīng)，導(dǎo)致接地效果不佳。
　　3、多點(diǎn)接地多點(diǎn)接地是指設(shè)備中所有需要接地的點(diǎn)都直接與接地平面（底板、接地母線等）相連。優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，高頻駐波小。缺點(diǎn)是維修量（生銹和松動(dòng)）大。
　　4、電壓擊穿測(cè)試儀混合接地綜合了單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地的長(zhǎng)度。需要就近接地的點(diǎn)直接與附近的接地平面相連，或者需要高頻接地的點(diǎn)通過(guò)旁路電容與接地平面相連，其他點(diǎn)采用單點(diǎn)接地。循環(huán)信號(hào)波長(zhǎng)小于0.05λ選用單點(diǎn)接地，接地線長(zhǎng)度應(yīng)達(dá)到0.05λ以上選用多點(diǎn)接地。